Z profesionálneho hľadiska je proces výroby čipu mimoriadne komplikovaný a únavný.Z celého priemyselného reťazca IC sa však delí hlavne na štyri časti: návrh IC → výroba IC → balenie → testovanie.
Proces výroby čipov:
1. Dizajn čipu
Čip je produkt s malým objemom, ale extrémne vysokou presnosťou.Pri výrobe čipu je prvou časťou dizajn.Návrh vyžaduje pomoc návrhu čipu návrhu čipu potrebného na spracovanie pomocou nástroja EDA a niektorých IP jadier.
Proces výroby čipov:
1. Dizajn čipu
Čip je produkt s malým objemom, ale extrémne vysokou presnosťou.Pri výrobe čipu je prvou časťou dizajn.Návrh vyžaduje pomoc návrhu čipu návrhu čipu potrebného na spracovanie pomocou nástroja EDA a niektorých IP jadier.
3. Silikónový lifting
Po oddelení kremíka sú zvyšné materiály opustené.Čistý kremík po viacerých krokoch dosiahol kvalitu výroby polovodičov.Ide o takzvaný elektronický kremík.
4. Ingoty na odlievanie kremíka
Po vyčistení by mal byť kremík odliaty do kremíkových ingotov.Jeden kryštál kremíka elektronickej kvality po odliatí do ingotu váži asi 100 kg a čistota kremíka dosahuje 99,9999 %.
5. Spracovanie súboru
Po odliatí kremíkového ingotu sa musí celý kremíkový ingot rozrezať na kúsky, čo je oblátka, ktorú bežne nazývame oblátka, ktorá je veľmi tenká.Následne sa oblátka vyleští do dokonalosti a povrch je hladký ako zrkadlo.
Priemer kremíkových doštičiek je 8 palcov (200 mm) a 12 palcov (300 mm).Čím väčší je priemer, tým nižšie sú náklady na jeden čip, ale tým vyššia je náročnosť spracovania.
5. Spracovanie súboru
Po odliatí kremíkového ingotu sa musí celý kremíkový ingot rozrezať na kúsky, čo je oblátka, ktorú bežne nazývame oblátka, ktorá je veľmi tenká.Následne sa oblátka vyleští do dokonalosti a povrch je hladký ako zrkadlo.
Priemer kremíkových doštičiek je 8 palcov (200 mm) a 12 palcov (300 mm).Čím väčší je priemer, tým nižšie sú náklady na jeden čip, ale tým vyššia je náročnosť spracovania.
7. Eclipse a iónová injekcia
Najprv je potrebné korodovať oxid kremičitý a nitrid kremíka exponované mimo fotorezistu a vyzrážať vrstvu kremíka na izoláciu medzi kryštálovou trubicou a potom použiť technológiu leptania na odkrytie spodného kremíka.Potom vstreknite bór alebo fosfor do kremíkovej štruktúry, potom naplňte meď, aby sa spojila s inými tranzistormi, a potom na ňu naneste ďalšiu vrstvu lepidla, aby ste vytvorili vrstvu štruktúry.Čip vo všeobecnosti obsahuje desiatky vrstiev, ako sú husto prepletené diaľnice.
7. Eclipse a iónová injekcia
Najprv je potrebné korodovať oxid kremičitý a nitrid kremíka exponované mimo fotorezistu a vyzrážať vrstvu kremíka na izoláciu medzi kryštálovou trubicou a potom použiť technológiu leptania na odkrytie spodného kremíka.Potom vstreknite bór alebo fosfor do kremíkovej štruktúry, potom naplňte meď, aby sa spojila s inými tranzistormi, a potom na ňu naneste ďalšiu vrstvu lepidla, aby ste vytvorili vrstvu štruktúry.Čip vo všeobecnosti obsahuje desiatky vrstiev, ako sú husto prepletené diaľnice.
Čas odoslania: júl-08-2023